کاربید سیلیکون با فرآیندی شامل واکنش الکتروشیمیایی سیلیس (SiO2) – به شکل کوارتز مخلوط با کربن (C) به شکل کک نفت خام تولید می شود. مخلوط استوکیومتری در یک کوره مقاومت الکتریکی در دمای تا 2500 درجه سانتیگراد واکنش داده می شود تا کریستال های با کیفیت بالا تولید شود. این فرآیند فناوری کوره بزرگ با الکترود گرافیتی در مرکز کوره است. سپس کریستال‌های بزرگ جدا، خرد شده، از ناخالصی‌های مغناطیسی در جداکننده‌های مغناطیسی با شدت بالا پاک می‌شوند و به بخش‌های باریکی طبقه‌بندی می‌شوند تا برای استفاده نهایی مناسب باشند.
| آنالیز شیمیایی معمولی | خصوصیات فیزیکی معمولی | ||
| SiC | ≥98٪ | سختی: | Mohs: 9.15 |
| SiO2 | ≤1% | نقطه ذوب: | سابلایم در 2250 ℃ |
| H2O3 | ≤0.5٪ | حداکثر دمای سرویس: | 1900 ℃ |
| Fe2O3 | ≤0.3٪ | وزن مخصوص: | 3.2-3.45 گرم بر سانتی متر مکعب |
| اف سی | ≤0.3٪ | چگالی ظاهری (LPD): | 1.2-1.6 گرم بر سانتی متر مکعب |
| محتوای مغناطیسی | ≤0.02٪ | رنگ: | مشکی |
| شکل ذرات: | شش ضلعی | ||
توزیع اندازه ذرات میکروپودر کاربید سیلیکون سیاه JIS.
| JIS Grit Size | D0 (میکرون) | D3 (میکرون) | D50 (میکرون) | D94 (میکرون) |
| #240 | ≤ 127 | ≤ 103 | 57.0±3.0 | ≥ 40 |
| #280 | ≤ 112 | ≤ 87 | 48.0±3.0 | ≥ 33 |
| #320 | ≤ 98 | ≤ 74 | 2.5±40.0 | ≥ 27 |
| #360 | ≤ 86 | ≤ 66 | 2.0±35.0 | ≥ 23 |
| #400 | ≤ 75 | ≤ 58 | 30.0±2.0 | ≥ 20 |
| #500 | ≤ 63 | ≤ 50 | 25.0±2.0 | ≥ 16 |
| #600 | ≤ 53 | ≤ 41 | 20.0±1.5 | ≥ 13 |
| #700 | ≤ 45 | ≤ 37 | 17.0±1.5 | ≥ 11 |
| #800 | ≤ 38 | ≤ 31 | 14.0±1.0 | ≥ 9.0 |
| #1000 | ≤ 32 | ≤ 27 | 11.5.±1.0 | ≥ 7.0 |
| #1200 | ≤ 27 | ≤ 23 | 9.5±0.8 | ≥ 5.5 |
| #1500 | ≤ 23 | ≤ 20 | 0.6±8.0 | ≥ 4.5 |
| #2000 | ≤ 19 | ≤ 17 | 6.7±0.6 | ≥ 4.0 |
| #2500 | ≤ 16 | ≤ 14 | 5.5±0.5 | ≥ 3.0 |
| #3000 | ≤ 13 | ≤ 11 | 0.5±4.0 | ≥ 2.0 |
| #4000 | ≤ 11 | ≤ 8.0 | 0.4±3.0 | ≥ 1.8 |
